Podłoże 4H-SiC typu P o grubości 2 ~ 6 cali i odchylone od kąta 4°

Podłoża 4H-SiC firmy Semicera o wymiarach 2–6 cali i odchylone od kąta 4° typu P 4H-SiC zostały zaprojektowane tak, aby spełniać rosnące potrzeby producentów wysokowydajnych urządzeń zasilających i RF. Orientacja pod kątem 4° zapewnia zoptymalizowany wzrost epitaksjalny, co czyni to podłoże idealną podstawą dla szeregu urządzeń półprzewodnikowych, w tym MOSFET, IGBT i diod.

To podłoże 4H-SiC typu P o wymiarach 2–6 cali i odchylone od kąta 4° ma doskonałe właściwości materiałowe, w tym wysoką przewodność cieplną, doskonałe parametry elektryczne i wyjątkową stabilność mechaniczną. Orientacja pod kątem pomaga zmniejszyć gęstość mikrorurki i zapewnia gładsze warstwy epitaksjalne, co ma kluczowe znaczenie dla poprawy wydajności i niezawodności końcowego urządzenia półprzewodnikowego.

Podłoża 4H-SiC firmy Semicera o wymiarach 2–6 cali i odchyleniu od kąta 4° typu P 4H-SiC są dostępne w różnych średnicach, od 2 cali do 6 cali, aby spełnić różne wymagania produkcyjne. Nasze podłoża są precyzyjnie zaprojektowane, aby zapewnić jednolite poziomy domieszkowania i wysokiej jakości charakterystykę powierzchni, zapewniając, że każda płytka spełnia rygorystyczne specyfikacje wymagane w zaawansowanych zastosowaniach elektronicznych.

Zaangażowanie firmy Semicera w innowacje i jakość gwarantuje, że nasze podłoża 4H-SiC typu P o wymiarach 2–6 cali i odchylone o 4° od kąta zapewniają stałą wydajność w szerokim zakresie zastosowań, od elektroniki mocy po urządzenia wysokiej częstotliwości. Produkt ten stanowi niezawodne rozwiązanie dla następnej generacji energooszczędnych, wysokowydajnych półprzewodników, wspierając postęp technologiczny w takich branżach jak motoryzacja, telekomunikacja i energia odnawialna.