-
Co to jest nośnik waflowy RTP?
Zrozumienie jego roli w produkcji półprzewodników Badanie zasadniczej roli nośników płytek RTP w zaawansowanym przetwarzaniu półprzewodników W świecie produkcji półprzewodników precyzja i kontrola mają kluczowe znaczenie przy wytwarzaniu wysokiej jakości urządzeń zasilających nowoczesną elektronikę. Jeden z...Przeczytaj więcej -
Co to jest nosidełko Epi?
Badanie ich kluczowej roli w epitaksjalnym przetwarzaniu płytek epitaksjalnych. Zrozumienie znaczenia nośników Epi w zaawansowanej produkcji półprzewodników. W branży półprzewodników produkcja wysokiej jakości płytek epitaksjalnych (epi) jest krytycznym krokiem w produkcji urządzeń takich jak tranzystory, diody...Przeczytaj więcej -
Proces i sprzęt półprzewodnikowy (1/7) – Proces produkcji układów scalonych
1. Informacje o układach scalonych 1.1 Koncepcja i narodziny układów scalonych Układ scalony (IC): odnosi się do urządzenia, które łączy w sobie urządzenia aktywne, takie jak tranzystory i diody, z elementami pasywnymi, takimi jak rezystory i kondensatory, poprzez szereg specyficznych technologii przetwarzania...Przeczytaj więcej -
Co to jest nosidełko Epi Pan?
Przemysł półprzewodników wykorzystuje wysoce wyspecjalizowany sprzęt do produkcji wysokiej jakości urządzeń elektronicznych. Jednym z takich kluczowych elementów procesu wzrostu epitaksjalnego jest nośnik epitaksyjny. Sprzęt ten odgrywa kluczową rolę w osadzaniu warstw epitaksjalnych na płytkach półprzewodnikowych, co za tym idzie...Przeczytaj więcej -
Co to jest susceptor MOCVD?
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej metali organicznych (MOCVD) to kluczowy proces w przemyśle półprzewodników, w którym na podłożach osadzane są cienkie warstwy wysokiej jakości. Kluczowym elementem procesu MOCVD jest susceptor, istotny element, który odgrywa kluczową rolę w zapewnieniu jednolitości i jakości...Przeczytaj więcej -
Co to jest powłoka SiC?
Powłoki z węglika krzemu (SiC) szybko stają się niezbędne w różnych wymagających zastosowaniach ze względu na ich niezwykłe właściwości fizyczne i chemiczne. Nakładane za pomocą technik takich jak fizyczne lub chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) lub metody natryskiwania, powłoki SiC zmieniają właściwości powierzchni...Przeczytaj więcej -
Co to jest nośnik waflowy MOCVD?
W dziedzinie produkcji półprzewodników technologia MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) szybko staje się kluczowym procesem, a nośnik wafla MOCVD jest jednym z jej głównych komponentów. Postępy w MOCVD Wafer Carrier znajdują odzwierciedlenie nie tylko w procesie produkcyjnym, ale...Przeczytaj więcej -
Co to jest węglik tantalu?
Węglik tantalu (TaC) to dwuskładnikowy związek tantalu i węgla o wzorze chemicznym TaC x, gdzie x zwykle waha się od 0,4 do 1. Są to wyjątkowo twarde, kruche, ogniotrwałe materiały ceramiczne o metalicznym przewodnictwie. To brązowo-szare proszki i jesteśmy my...Przeczytaj więcej -
co to jest węglik tantalu
Węglik tantalu (TaC) to materiał ceramiczny o bardzo wysokiej temperaturze, odporny na wysoką temperaturę, o dużej gęstości i dużej zwartości; wysoka czystość, zawartość zanieczyszczeń <5PPM; i chemiczną obojętność na amoniak i wodór w wysokich temperaturach oraz dobrą stabilność termiczną. Tak zwany ultrawysoki...Przeczytaj więcej -
Co to jest epitaksja?
Większość inżynierów nie jest zaznajomiona z epitaksją, która odgrywa ważną rolę w produkcji urządzeń półprzewodnikowych. Epitaksję można stosować w różnych produktach chipowych, a różne produkty mają różne typy epitaksji, w tym epitaksję Si, epitaksję SiC, epitaksję GaN itp. Co to jest epitaksja? Epitaksja to...Przeczytaj więcej -
Jakie są ważne parametry SiC?
Węglik krzemu (SiC) jest ważnym materiałem półprzewodnikowym o szerokim paśmie wzbronionym, szeroko stosowanym w urządzeniach elektronicznych dużej mocy i wysokiej częstotliwości. Poniżej przedstawiono niektóre kluczowe parametry płytek węglika krzemu i ich szczegółowe wyjaśnienia: Parametry kraty: Upewnij się, że ...Przeczytaj więcej -
Dlaczego monokrystaliczny krzem musi być walcowany?
Walcowanie oznacza proces szlifowania zewnętrznej średnicy pręta monokrystalicznego krzemu w pręt monokrystaliczny o wymaganej średnicy za pomocą diamentowej tarczy szlifierskiej i szlifowania powierzchni odniesienia o płaskiej krawędzi lub rowka pozycjonującego pręta monokrystalicznego. Powierzchnia średnicy zewnętrznej...Przeczytaj więcej