Metoda PART/1CVD (chemiczne osadzanie z fazy gazowej): w temperaturze 900-2300 ℃, przy użyciu TaCl5 i CnHm jako źródeł tantalu i węgla, H₂ jako atmosfery redukującej, Ar₂ jako gazu nośnego, warstwy osadzania reakcyjnego. Przygotowana powłoka jest zwarta, jednolita i ma wysoką czystość. Są jednak pewne proble...
Przeczytaj więcej