-
Proces produkcji półprzewodników – technologia wytrawiania
Aby zamienić płytkę w półprzewodnik, potrzebne są setki procesów. Jednym z najważniejszych procesów jest trawienie, czyli wycinanie drobnych wzorów obwodów na płytce. Powodzenie procesu trawienia zależy od zarządzania różnymi zmiennymi w ustalonym zakresie dystrybucji, a każde trawienie...Przeczytaj więcej -
Idealny materiał na pierścienie ostrości w sprzęcie do trawienia plazmowego: węglik krzemu (SiC)
W sprzęcie do trawienia plazmowego kluczową rolę odgrywają elementy ceramiczne, w tym pierścień ostrości. Pierścień ogniskujący, umieszczony wokół płytki i pozostający z nią w bezpośrednim kontakcie, jest niezbędny do skupienia plazmy na płytce poprzez przyłożenie napięcia do pierścienia. Zwiększa to nie...Przeczytaj więcej -
Wpływ obróbki monokryształów węglika krzemu na jakość powierzchni płytek
Półprzewodnikowe urządzenia mocy zajmują kluczową pozycję w układach energoelektronicznych, zwłaszcza w kontekście szybkiego rozwoju technologii, takich jak sztuczna inteligencja, komunikacja 5G i nowe pojazdy energetyczne, wymagania eksploatacyjne dla nich zostały ...Przeczytaj więcej -
Kluczowy materiał rdzenia do wzrostu SiC: powłoka z węglika tantalu
Obecnie w półprzewodnikach trzeciej generacji dominuje węglik krzemu. W strukturze kosztów swoich urządzeń podłoże stanowi 47%, a epitaksja 23%. Oba stanowią łącznie około 70%, co jest najważniejszą częścią produkcji urządzeń z węglika krzemu...Przeczytaj więcej -
W jaki sposób produkty powlekane węglikiem tantalu zwiększają odporność materiałów na korozję?
Powłoka z węglika tantalu jest powszechnie stosowaną technologią obróbki powierzchni, która może znacznie poprawić odporność materiałów na korozję. Powłokę z węglika tantalu można przymocować do powierzchni podłoża różnymi metodami przygotowania, takimi jak chemiczne osadzanie z fazy gazowej, metody fizyczne...Przeczytaj więcej -
Wczoraj Rada ds. Innowacji Naukowych i Technologicznych ogłosiła, że Huazhuo Precision Technology zakończyła swoją ofertę publiczną!
Właśnie ogłoszono dostawę pierwszego 8-calowego urządzenia do wyżarzania laserowego SIC w Chinach, które jest również technologią Tsinghua; Dlaczego sami wycofali materiały? Tylko kilka słów: Po pierwsze, produkty są zbyt różnorodne! Na pierwszy rzut oka nie wiem, czym się zajmują. Obecnie H...Przeczytaj więcej -
Powłoka z węglika krzemu CVD-2
Powłoka CVD z węglika krzemu 1. Dlaczego istnieje powłoka z węglika krzemu? Warstwa epitaksjalna to specyficzna cienka warstwa monokryształu wyhodowana na bazie płytki w procesie epitaksjalnym. Płytka podłoża i cienka warstwa epitaksjalna są wspólnie nazywane płytkami epitaksjalnymi. Wśród nich...Przeczytaj więcej -
Proces przygotowania powłoki SIC
Obecnie metody przygotowania powłok SiC obejmują głównie metodę żelowo-zolową, metodę zatapiania, metodę powlekania pędzlem, metodę natryskiwania plazmowego, metodę chemicznej reakcji z parą (CVR) i metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD). Metoda osadzaniaTa metoda jest rodzajem wysokotemperaturowej fazy stałej ...Przeczytaj więcej -
Powłoka z węglika krzemu CVD-1
Co to jest CVD SiC Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) to proces osadzania próżniowego stosowany w celu wytworzenia materiałów stałych o wysokiej czystości. Proces ten jest często stosowany w produkcji półprzewodników do tworzenia cienkich warstw na powierzchni płytek. W procesie przygotowania SiC metodą CVD podłoże ulega eksp...Przeczytaj więcej -
Analiza struktury dyslokacji w krysztale SiC metodą symulacji śledzenia promieni wspomaganej obrazowaniem topologicznym promieni rentgenowskich
Tło badawcze Znaczenie aplikacyjne węglika krzemu (SiC): Jako materiał półprzewodnikowy o szerokim paśmie wzbronionym, węglik krzemu przyciąga wiele uwagi ze względu na jego doskonałe właściwości elektryczne (takie jak większy pasmo wzbronione, większa prędkość nasycenia elektronów i przewodność cieplna). Te rekwizyty...Przeczytaj więcej -
Proces przygotowania kryształów zaszczepiających w hodowli monokryształów SiC 3
Weryfikacja wzrostu Kryształy zaszczepiające węglika krzemu (SiC) przygotowano zgodnie z opisanym procesem i sprawdzono poprzez hodowlę kryształów SiC. Zastosowaną platformą wzrostową był samodzielnie opracowany indukcyjny piec wzrostowy SiC o temperaturze wzrostu 2200 ℃, ciśnieniu wzrostu 200 Pa i...Przeczytaj więcej -
Proces przygotowania kryształów zaszczepiających w procesie wzrostu monokryształów SiC (część 2)
2. Proces eksperymentalny 2.1 Utwardzanie warstwy kleju Zaobserwowano, że bezpośrednie utworzenie warstwy węgla lub połączenie papieru grafitowego na płytkach SiC pokrytych klejem prowadzi do kilku problemów: 1. W warunkach próżni warstwa kleju na płytkach SiC przybrała wygląd przypominający łuskę podpisać...Przeczytaj więcej