Węglik krzemu luzem CVD (SiC)
Przegląd:CVDwęglik krzemu luzem (SiC)jest materiałem bardzo poszukiwanym w urządzeniach do trawienia plazmowego, zastosowaniach szybkiego przetwarzania termicznego (RTP) i innych procesach produkcji półprzewodników. Jego wyjątkowe właściwości mechaniczne, chemiczne i termiczne sprawiają, że jest to idealny materiał do zastosowań w zaawansowanych technologiach, które wymagają wysokiej precyzji i trwałości.
Zastosowania CVD Bulk SiC:SiC luzem ma kluczowe znaczenie w przemyśle półprzewodników, szczególnie w systemach trawienia plazmowego, gdzie elementy takie jak pierścienie ogniskujące, głowice natrysków gazowych, pierścienie krawędziowe i płyty dociskowe korzystają z wyjątkowej odporności na korozję i przewodności cieplnej SiC. Jego zastosowanie rozciąga się naRTPsystemów ze względu na zdolność SiC do wytrzymywania szybkich wahań temperatury bez znaczącej degradacji.
Oprócz sprzętu do trawienia, CVDluzem SiCjest preferowany w piecach dyfuzyjnych i procesach wzrostu kryształów, gdzie wymagana jest wysoka stabilność termiczna i odporność na trudne warunki chemiczne. Te cechy sprawiają, że SiC jest materiałem wybieranym do zastosowań o wysokich wymaganiach, obejmujących wysokie temperatury i gazy korozyjne, takie jak zawierające chlor i fluor.
Zalety masowych komponentów CVD SiC:
•Wysoka gęstość:Przy gęstości 3,2 g/cm3,CVD luzem SiCelementy charakteryzują się dużą odpornością na zużycie i uderzenia mechaniczne.
•Doskonała przewodność cieplna:Oferując przewodność cieplną na poziomie 300 W/m·K, luzem SiC skutecznie zarządza ciepłem, dzięki czemu idealnie nadaje się do elementów narażonych na ekstremalne cykle termiczne.
•Wyjątkowa odporność chemiczna:Niska reaktywność SiC z gazami trawiącymi, w tym chemikaliami na bazie chloru i fluoru, zapewnia dłuższą żywotność komponentów.
•Regulowana rezystancja: CVD masowe SiCrezystywność można dostosować w zakresie 10⁻²–10⁴ Ω-cm, dzięki czemu można ją dostosować do konkretnych potrzeb w zakresie trawienia i produkcji półprzewodników.
•Współczynnik rozszerzalności cieplnej:Dzięki współczynnikowi rozszerzalności cieplnej 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD SiC w masie jest odporny na szok termiczny, zachowując stabilność wymiarową nawet podczas szybkich cykli ogrzewania i chłodzenia.
•Trwałość w plazmie:Ekspozycja na plazmę i gazy reaktywne jest nieunikniona w procesach półprzewodnikowych, aleCVD luzem SiCzapewnia doskonałą odporność na korozję i degradację, zmniejszając częstotliwość wymiany i ogólne koszty konserwacji.
Dane techniczne:
•Średnica:Większa niż 305 mm
•Oporność:Możliwość regulacji w zakresie 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Gęstość:3,2 g/cm3
•Przewodność cieplna:300 W/m·K
•Współczynnik rozszerzalności cieplnej:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalizacja i elastyczność:Na Półprzewodnik Semicerarozumiemy, że każde zastosowanie półprzewodników może wymagać innych specyfikacji. Właśnie dlatego nasze komponenty CVD SiC są w pełni konfigurowalne, mają regulowaną rezystancję i wymiary dostosowane do potrzeb Twojego sprzętu. Niezależnie od tego, czy optymalizujesz systemy trawienia plazmowego, czy szukasz trwałych komponentów w procesach RTP lub dyfuzyjnych, nasz masowy SiC CVD zapewnia niezrównaną wydajność.
