System Epi z powłoką SiC w fazie ciekłej

Krótki opis:

Semicera oferuje kompleksową gamę susceptorów i komponentów grafitowych przeznaczonych do różnych reaktorów epitaksyjnych.

Dzięki strategicznemu partnerstwu z wiodącymi w branży producentami OEM, rozległej wiedzy specjalistycznej na temat materiałów i zaawansowanym możliwościom produkcyjnym, Semicera dostarcza projekty dostosowane do konkretnych wymagań Twojej aplikacji. Nasze dążenie do doskonałości gwarantuje, że otrzymają Państwo optymalne rozwiązania spełniające potrzeby reaktorów epitaksji.

 

 


Szczegóły produktu

Tagi produktów

Nasza firma zapewniaPowłoka SiCusługi obróbki powierzchni grafitu, ceramiki i innych materiałów metodą CVD, dzięki czemu specjalne gazy zawierające węgiel i krzem mogą reagować w wysokiej temperaturze w celu uzyskania cząsteczek Sic o wysokiej czystości, które można osadzać na powierzchni powlekanych materiałów tworzącWarstwa ochronna SiCdo hipnotycznego typu beczki epitaksyjnej.

 

Główne cechy:

1. Grafit pokryty SiC o wysokiej czystości

2. Doskonała odporność na ciepło i jednorodność termiczna

3. W porządkuPokryty kryształem SiCdla gładkiej powierzchni

4. Wysoka odporność na czyszczenie chemiczne

 
System Epi w beczce z fazą ciekłą

Główne specyfikacjePowłoka CVD-SIC

Właściwości SiC-CVD

Struktura kryształu Faza β FCC
Gęstość g/cm³ 3.21
Twardość Twardość Vickersa 2500
Rozmiar ziarna um 2 ~ 10
Czystość chemiczna % 99,99995
Pojemność cieplna J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura sublimacji 2700
Siła Felexuralna MPa (RT 4-punktowy) 415
Moduł Younga Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃) 430
Rozszerzalność cieplna (CTE) 10-6K-1 4,5
Przewodność cieplna (W/mK) 300

 

 
2--czystość-cvd-sic---99-99995-_60366
5----sic-kryształ_242127
Miejsce pracy Semicery
Miejsce pracy Semicera 2
Maszyna sprzętowa
Obróbka CNN, czyszczenie chemiczne, powlekanie CVD
Nasz serwis

  • Poprzedni:
  • Następny: