Folia silikonowa firmy Semicera to wysokiej jakości, precyzyjnie zaprojektowany materiał, zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania przemysłu półprzewodników. To rozwiązanie cienkowarstwowe, wykonane z czystego krzemu, zapewnia doskonałą jednorodność, wysoką czystość oraz wyjątkowe właściwości elektryczne i termiczne. Jest idealny do stosowania w różnych zastosowaniach półprzewodników, w tym w produkcji płytek Si, podłoża SiC, płytek SOI, podłoża SiN i płytek Epi. Folia silikonowa firmy Semicera zapewnia niezawodne i spójne działanie, co czyni ją niezbędnym materiałem w zaawansowanej mikroelektronice.
Najwyższa jakość i wydajność w produkcji półprzewodników
Folia silikonowa Semicera znana jest ze swojej wyjątkowej wytrzymałości mechanicznej, wysokiej stabilności termicznej i niskiego wskaźnika defektów, a wszystkie te czynniki mają kluczowe znaczenie w produkcji półprzewodników o wysokiej wydajności. Niezależnie od tego, czy jest stosowana do produkcji urządzeń z tlenku galu (Ga2O3), płytek AlN czy płytek Epi, folia zapewnia solidną podstawę do osadzania cienkowarstwowego i wzrostu epitaksjalnego. Jego kompatybilność z innymi podłożami półprzewodnikowymi, takimi jak podłoże SiC i płytki SOI, zapewnia bezproblemową integrację z istniejącymi procesami produkcyjnymi, pomagając utrzymać wysoką wydajność i stałą jakość produktu.
Zastosowania w przemyśle półprzewodników
W branży półprzewodników folia silikonowa firmy Semicera jest wykorzystywana w szerokim zakresie zastosowań, od produkcji płytek Si i SOI po bardziej wyspecjalizowane zastosowania, takie jak tworzenie substratów SiN i płytek Epi. Wysoka czystość i precyzja tej folii sprawiają, że jest ona niezbędna w produkcji zaawansowanych komponentów stosowanych we wszystkim, od mikroprocesorów i układów scalonych po urządzenia optoelektroniczne.
Folia krzemowa odgrywa kluczową rolę w procesach półprzewodnikowych, takich jak wzrost epitaksjalny, wiązanie płytek i osadzanie cienkowarstwowych. Jego niezawodne właściwości są szczególnie cenne w branżach wymagających ściśle kontrolowanych środowisk, takich jak pomieszczenia czyste w fabrykach półprzewodników. Dodatkowo folię silikonową można zintegrować z systemami kaset w celu wydajnego przenoszenia i transportu płytek podczas produkcji.
Długoterminowa niezawodność i spójność
Jedną z kluczowych zalet stosowania folii silikonowej Semicera jest jej długoterminowa niezawodność. Dzięki doskonałej trwałości i stałej jakości folia ta stanowi niezawodne rozwiązanie w środowiskach produkcyjnych o dużej skali. Niezależnie od tego, czy jest stosowana w precyzyjnych urządzeniach półprzewodnikowych, czy w zaawansowanych zastosowaniach elektronicznych, folia silikonowa firmy Semicera zapewnia producentom możliwość osiągnięcia wysokiej wydajności i niezawodności w szerokiej gamie produktów.
Dlaczego warto wybrać folię silikonową Semicera?
Folia silikonowa firmy Semicera jest niezbędnym materiałem do najnowocześniejszych zastosowań w przemyśle półprzewodników. Jego wysokie właściwości użytkowe, w tym doskonała stabilność termiczna, wysoka czystość i wytrzymałość mechaniczna, czynią go idealnym wyborem dla producentów chcących osiągnąć najwyższe standardy w produkcji półprzewodników. Od płytek Si i podłoża SiC po produkcję urządzeń z tlenkiem galu Ga2O3, ta folia zapewnia niezrównaną jakość i wydajność.
Dzięki folii silikonowej Semicera możesz zaufać produktowi, który spełnia potrzeby nowoczesnej produkcji półprzewodników, zapewniając niezawodną podstawę dla elektroniki nowej generacji.
Rzeczy | Produkcja | Badania | Atrapa |
Parametry kryształu | |||
Polityp | 4H | ||
Błąd orientacji powierzchni | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametry elektryczne | |||
Domieszka | Azot typu n | ||
Oporność | 0,015-0,025 oma·cm | ||
Parametry mechaniczne | |||
Średnica | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Grubość | 350±25 µm | ||
Podstawowa orientacja płaska | [1-100]±5° | ||
Podstawowa długość płaska | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Mieszkanie wtórne | Nic | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 µm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Ukłon | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Osnowa | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 µm |
Chropowatość przodu (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktura | |||
Gęstość mikrorurki | <1 szt./cm2 | <10 szt./cm2 | <15 szt./cm2 |
Zanieczyszczenia metaliczne | ≤5E10atomów/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 szt./cm2 | ≤3000 szt./cm2 | NA |
TSD | ≤500 szt./cm2 | ≤1000 szt./cm2 | NA |
Jakość przodu | |||
Przód | Si | ||
Wykończenie powierzchni | Si-face CMP | ||
Cząstki | ≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3μm) | NA | |
Zadrapania | ≤5 szt./mm. Długość skumulowana ≤Średnica | Długość skumulowana ≤2*Średnica | NA |
Skórka pomarańczowa/pestki/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenia | Nic | NA | |
Wióry/wcięcia/pęknięcia/płytki sześciokątne na krawędziach | Nic | ||
Obszary politypowe | Nic | Powierzchnia skumulowana ≤20% | Powierzchnia skumulowana ≤30% |
Znakowanie laserowe z przodu | Nic | ||
Powrót Jakość | |||
Wykończenie tyłu | CMP z twarzą C | ||
Zadrapania | ≤5ea/mm, skumulowana długość ≤2*średnica | NA | |
Wady grzbietu (odpryski/wcięcia krawędzi) | Nic | ||
Szorstkość pleców | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Tylne znakowanie laserowe | 1 mm (od górnej krawędzi) | ||
Krawędź | |||
Krawędź | Ścięcie | ||
Opakowanie | |||
Opakowanie | Epi-ready z opakowaniem próżniowym Opakowanie kasetowe składające się z wielu wafli | ||
*Uwagi: „NA” oznacza brak żądania. Pozycje niewymienione mogą odnosić się do SEMI-STD. |