Wafel SOI (izolator krzemowy) firmy Semicera został zaprojektowany w celu zapewnienia doskonałej izolacji elektrycznej i wydajności termicznej. Ta innowacyjna struktura waflowa, zawierająca warstwę krzemu na warstwie izolacyjnej, zapewnia lepszą wydajność urządzenia i zmniejszone zużycie energii, dzięki czemu idealnie nadaje się do różnych zaawansowanych technologicznie zastosowań.
Nasze płytki SOI oferują wyjątkowe korzyści dla układów scalonych, minimalizując pojemność pasożytniczą oraz poprawiając szybkość i wydajność urządzenia. Ma to kluczowe znaczenie w przypadku nowoczesnej elektroniki, gdzie wysoka wydajność i efektywność energetyczna są niezbędne zarówno w zastosowaniach konsumenckich, jak i przemysłowych.
Semicera wykorzystuje zaawansowane techniki produkcyjne, aby wytwarzać płytki SOI o stałej jakości i niezawodności. Płytki te zapewniają doskonałą izolację termiczną, dzięki czemu nadają się do stosowania w środowiskach, w których problemem jest rozpraszanie ciepła, takich jak urządzenia elektroniczne o dużej gęstości i systemy zarządzania energią.
Zastosowanie płytek SOI w produkcji półprzewodników pozwala na opracowanie mniejszych, szybszych i bardziej niezawodnych chipów. Zaangażowanie firmy Semicera w inżynierię precyzyjną gwarantuje, że nasze płytki SOI spełniają wysokie standardy wymagane w przypadku najnowocześniejszych technologii w takich dziedzinach, jak telekomunikacja, motoryzacja i elektronika użytkowa.
Wybór SOI Wafer firmy Semicera oznacza inwestycję w produkt wspierający rozwój technologii elektronicznych i mikroelektronicznych. Nasze płytki zostały zaprojektowane tak, aby zapewnić lepszą wydajność i trwałość, przyczyniając się do sukcesu Twoich zaawansowanych technologicznie projektów i zapewniając, że pozostaniesz w czołówce innowacji.
Rzeczy | Produkcja | Badania | Atrapa |
Parametry kryształu | |||
Polityp | 4H | ||
Błąd orientacji powierzchni | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametry elektryczne | |||
Domieszka | Azot typu n | ||
Oporność | 0,015-0,025 oma·cm | ||
Parametry mechaniczne | |||
Średnica | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Grubość | 350±25 µm | ||
Podstawowa orientacja płaska | [1-100]±5° | ||
Podstawowa długość płaska | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Mieszkanie wtórne | Nic | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 µm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Ukłon | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Osnowa | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 µm |
Chropowatość przodu (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktura | |||
Gęstość mikrorurki | <1 szt./cm2 | <10 szt./cm2 | <15 szt./cm2 |
Zanieczyszczenia metaliczne | ≤5E10atomów/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 szt./cm2 | ≤3000 szt./cm2 | NA |
TSD | ≤500 szt./cm2 | ≤1000 szt./cm2 | NA |
Jakość przodu | |||
Przód | Si | ||
Wykończenie powierzchni | Si-face CMP | ||
Cząstki | ≤60ea/wafel (rozmiar ≥0,3μm) | NA | |
Zadrapania | ≤5 szt./mm. Długość skumulowana ≤Średnica | Długość skumulowana ≤2*Średnica | NA |
Skórka pomarańczowa/pestki/plamy/prążki/pęknięcia/zanieczyszczenia | Nic | NA | |
Wióry/wcięcia/pęknięcia/płytki sześciokątne na krawędziach | Nic | ||
Obszary politypowe | Nic | Powierzchnia skumulowana ≤20% | Powierzchnia skumulowana ≤30% |
Znakowanie laserowe z przodu | Nic | ||
Powrót Jakość | |||
Wykończenie tyłu | CMP z twarzą C | ||
Zadrapania | ≤5ea/mm, skumulowana długość ≤2*średnica | NA | |
Wady grzbietu (odpryski/wcięcia krawędzi) | Nic | ||
Szorstkość pleców | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Tylne znakowanie laserowe | 1 mm (od górnej krawędzi) | ||
Krawędź | |||
Krawędź | Ścięcie | ||
Opakowanie | |||
Opakowanie | Epi-ready z opakowaniem próżniowym Opakowanie kasetowe składające się z wielu wafli | ||
*Uwagi: „NA” oznacza brak żądania. Pozycje niewymienione mogą odnosić się do SEMI-STD. |