Powłoki z węglika tantalu (TaC) o wysokiej czystości, wysokiej stabilności temperaturowej i wysokiej odporności chemicznej

Krótki opis:

Powłoka TaC to nowa generacja materiału odpornego na wysokie temperatury, o lepszej stabilności w wysokich temperaturach niż SiC, służąca jako powłoka odporna na korozję, utlenianie i zużycie, może być stosowana w środowisku powyżej 2000 ℃, szeroko stosowana w Części gorącej końcówki w przemyśle lotniczym i kosmonautycznym o bardzo wysokiej temperaturze, trzecia generacja wzrostu monokryształów półprzewodników i inne dziedziny.


Szczegóły produktu

Tagi produktów

Semicera dostarcza specjalistyczne powłoki z węglika tantalu (TaC) do różnych komponentów i nośników.Wiodący proces powlekania firmy Semicera umożliwia powłokom z węglika tantalu (TaC) osiągnięcie wysokiej czystości, wysokiej stabilności temperaturowej i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawiając jakość produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Susceptor TaC pokryty grafitem) i wydłużenie żywotności kluczowych elementów reaktora. Zastosowanie powłoki TaC z węglika tantalu ma na celu rozwiązanie problemu krawędzi i poprawę jakości wzrostu kryształów, a Semicera dokonała przełomowego rozwiązania technologii powlekania węglikiem tantalu (CVD), osiągając międzynarodowy poziom zaawansowany.

 

Po latach rozwoju Semicera podbiła technologięCVD TaCdzięki wspólnym wysiłkom działu badawczo-rozwojowego. Wady łatwo powstają w procesie wzrostu płytek SiC, ale już po ich użyciuTaC, różnica jest znacząca. Poniżej znajduje się porównanie płytek z i bez TaC, a także części Semicery do wzrostu monokryształów

微信图片_20240227150045

z TaC i bez

微信图片_20240227150053

Po użyciu TaC (po prawej)

Ponadto żywotność produktów powłokowych TaC firmy Semicera jest dłuższa i bardziej odporna na wysoką temperaturę niż powłoka SiC. Po długim czasie laboratoryjnych danych pomiarowych nasz TaC może pracować przez długi czas w temperaturze maksymalnie 2300 stopni Celsjusza. Oto niektóre z naszych próbek:

微信截图_20240227145010

(a) Schematyczny diagram urządzenia do hodowli monokryształów SiC metodą PVT (b) Wspornik nasion pokryty górnym TaC (w tym nasiona SiC) (c) Grafitowy pierścień prowadzący pokryty TAC

ZDFVzCFV
Główna cecha
Miejsce pracy Semicery
Miejsce pracy Semicera 2
Maszyna sprzętowa
Obróbka CNN, czyszczenie chemiczne, powlekanie CVD
Nasz serwis

  • Poprzedni:
  • Następny: