Opis produktu
Nasza firma zapewniaPowłoka SiCusługi technologiczne metodą CVD na powierzchni grafitu, ceramiki i innych materiałów, dzięki czemu specjalne gazy zawierające węgiel i krzem reagują w wysokiej temperaturze w celu uzyskania cząsteczek SiC o wysokiej czystości, cząsteczek osadzonych na powierzchni powlekanych materiałów, tworzącWarstwa ochronna SIC.
Główne cechy:
1. Odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze:
odporność na utlenianie jest nadal bardzo dobra, gdy temperatura wynosi aż 1600 C.
2. Wysoka czystość: uzyskana przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze.
3. Odporność na erozję: wysoka twardość, zwarta powierzchnia, drobne cząstki.
4. Odporność na korozję: kwasy, zasady, sól i odczynniki organiczne.
Główne specyfikacje powłoki CVD-SIC
| Właściwości SiC-CVD | ||
| Struktura krystaliczna | Faza β FCC | |
| Gęstość | g/cm³ | 3.21 |
| Twardość | Twardość Vickersa | 2500 |
| Wielkość ziarna | um | 2 ~ 10 |
| Czystość chemiczna | % | 99,99995 |
| Pojemność cieplna | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacji | ℃ | 2700 |
| Siła Felexuralna | MPa (RT 4-punktowy) | 415 |
| Moduł Younga | Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃) | 430 |
| Rozszerzalność cieplna (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Przewodność cieplna | (W/mK) | 300 |
-
Wysokotemperaturowy reaktor epitaksjalny z powłoką SiC...
-
Beczka grafitowa pokryta SiC do wzrostu epitaksjalnego
-
Sprzęt do technologii lasera mikrostrumieniowego LMJ
-
Reaktor epitaksjalny pokryty SiC do ...
-
Gorąca strefa grzejnika grafitowego / gorące pole grafitowe, ca ...
-
Łódka waflowa ze spiekanego reakcyjnie węglika krzemu