Materiał pola termicznego do wzrostu kryształów węglika krzemu – porowaty węglik tantalu

Krótki opis:

Porowaty węglik tantalu stosowany jest głównie do filtracji składników fazy gazowej, regulacji lokalnego gradientu temperatury, kierowania kierunku przepływu materiału, kontrolowania wycieków itp. Można go stosować z inną powłoką ze stałego węglika tantalu (kompaktową) lub węglikiem tantalu firmy Semicera Technology w celu utworzenia lokalnych komponentów o różnej przewodności przepływu.

 

 


Szczegóły produktu

Tagi produktów

Semicera Semicera dostarcza specjalistyczne powłoki z węglika tantalu (TaC) do różnych komponentów i nośników.Wiodący proces powlekania Semicera Semicera umożliwia powłokom z węglika tantalu (TaC) osiągnięcie wysokiej czystości, wysokiej stabilności temperaturowej i wysokiej tolerancji chemicznej, poprawiając jakość produktu kryształów SIC/GAN i warstw EPI (Susceptor TaC pokryty grafitem) i wydłużenie żywotności kluczowych elementów reaktora.Zastosowanie powłoki TaC z węglika tantalu ma na celu rozwiązanie problemu krawędzi i poprawę jakości wzrostu kryształów, a Semicera Semicera dokonała przełomowego rozwiązania technologii powlekania węglikiem tantalu (CVD), osiągając międzynarodowy poziom zaawansowany.

Po latach rozwoju Semicera podbiła technologięCVD TaCdzięki wspólnym wysiłkom działu badawczo-rozwojowego.Wady łatwo powstają w procesie wzrostu płytek SiC, ale już po ich użyciuTaC, różnica jest znacząca.Poniżej znajduje się porównanie płytek z i bez TaC, a także części Simicery do wzrostu monokryształów

微信图片_20240227150045

z TaC i bez

微信图片_20240227150053

Po użyciu TaC (po prawej)

Ponadto żywotność produktów powłokowych TaC firmy Semicera jest dłuższa i bardziej odporna na wysoką temperaturę niż powłoka SiC.Po długim czasie laboratoryjnych danych pomiarowych nasz TaC może pracować przez długi czas w temperaturze maksymalnie 2300 stopni Celsjusza.Oto niektóre z naszych próbek:

微信截图_20240227145010

(a) Schemat ideowy urządzenia do hodowli wlewków monokrystalicznego SiC metodą PVT (b) Wspornik nasion pokryty górnym TaC (w tym nasiona SiC) (c) Grafitowy pierścień prowadzący pokryty TAC

ZDFVzCFV
Główna cecha
Miejsce pracy Semicery
Miejsce pracy Semicera 2
Maszyna sprzętowa
Obróbka CNN, czyszczenie chemiczne, powlekanie CVD
Nasze usługi

  • Poprzedni:
  • Następny: