Opis
Nośniki waflizPowłoka z węglika krzemu (SiC).firmy semicera zostały fachowo zaprojektowane z myślą o wydajnym wzroście epitaksjalnym, zapewniając optymalne rezultatySi epitaksjaIEpitaksja SiCaplikacje. Precyzyjnie zaprojektowane nośniki Semicera są zbudowane tak, aby wytrzymać ekstremalne warunki, co czyni je niezbędnymi komponentami systemów susceptorów MOCVD dla branż wymagających wysokiej dokładności i trwałości.
Te nośniki płytek są wszechstronne i obsługują krytyczne procesy za pomocą sprzętu takiego jakNośnik trawiący PSS, Nośnik trawiący ICP, IPrzewoźnik RTP. Ich solidna powłoka SiC zwiększa wydajność w zastosowaniach takich jakEpitaksjalne diody LEDSusceptor i krzem monokrystaliczny zapewniają spójne wyniki nawet w wymagających środowiskach.
Dostępne w wielu konfiguracjach, takich jak susceptor beczkowy i susceptor naleśnikowy, nośniki te odgrywają kluczową rolę w produkcji fotowoltaiki i półprzewodników, wspierając produkcję części fotowoltaicznych i ułatwiając GaN w procesach epitaksji SiC. Dzięki doskonałej konstrukcji nośniki te stanowią kluczowy atut dla producentów dążących do wysokiej wydajności produkcji.
Główne cechy
1. Grafit pokryty SiC o wysokiej czystości
2. Doskonała odporność na ciepło i jednorodność termiczna
3. W porządkuPokryty kryształem SiCdla gładkiej powierzchni
4. Wysoka odporność na czyszczenie chemiczne
Główne specyfikacje powłok CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Gęstość | (g/cm3) | 3.21 |
| Wytrzymałość na zginanie | (Mpa) | 470 |
| Rozszerzalność cieplna | (10-6/tys.) | 4 |
| Przewodność cieplna | (W/mK) | 300 |
Pakowanie i wysyłka
Możliwość zasilania:
10000 sztuk / sztuk miesięcznie
Pakowanie i dostawa:
Pakowanie: standardowe i mocne opakowanie
Torba foliowa + pudełko + karton + paleta
Port:
Ningbo/Shenzhen/Szanghaj
Czas realizacji:
| Ilość (sztuk) | 1-1000 | >1000 |
| Szac. Czas (dni) | 30 | Do negocjacji |
