Niebiesko-zielona epitaksja LED firmy Semicera oferuje najnowocześniejsze rozwiązania w zakresie wysokowydajnej produkcji diod LED. Zaprojektowana do wspierania zaawansowanych procesów wzrostu epitaksjalnego, technologia epitaksji niebiesko-zielonej diody LED firmy Semicera zwiększa wydajność i precyzję produkcji niebieskich i zielonych diod LED, kluczowych dla różnych zastosowań optoelektronicznych. Wykorzystując najnowocześniejsze metody epitaksji Si i epitaksji SiC, rozwiązanie to zapewnia doskonałą jakość i trwałość.
W procesie produkcyjnym kluczową rolę odgrywa MOCVD Susceptor wraz z komponentami takimi jak PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier i RTP Carrier, które optymalizują środowisko wzrostu epitaksjalnego. Niebiesko-zielona epitaksja LED firmy Semicera została zaprojektowana w celu zapewnienia stabilnego wsparcia dla susceptora epitaksjalnego LED, susceptora baryłkowego i krzemu monokrystalicznego, zapewniając spójne wyniki wysokiej jakości.
Ten proces epitaksji jest niezbędny do tworzenia części fotowoltaicznych i wspiera zastosowania takie jak GaN na epitaksji SiC, poprawiając ogólną wydajność półprzewodników. Niezależnie od tego, czy chodzi o konfigurację Pancake Susceptor, czy o inne zaawansowane konfiguracje, rozwiązania epitaksji niebiesko-zielonej diody LED firmy Semicera zapewniają niezawodne działanie, pomagając producentom sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na wysokiej jakości komponenty LED.
Główne cechy:
1. Odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze:
odporność na utlenianie jest nadal bardzo dobra, gdy temperatura wynosi aż 1600 C.
2. Wysoka czystość: uzyskana przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze.
3. Odporność na erozję: wysoka twardość, zwarta powierzchnia, drobne cząstki.
4. Odporność na korozję: kwasy, zasady, sól i odczynniki organiczne.
Główne specyfikacjePowłoka CVD-SIC
| Właściwości SiC-CVD | ||
| Struktura kryształu | Faza β FCC | |
| Gęstość | g/cm³ | 3.21 |
| Twardość | Twardość Vickersa | 2500 |
| Rozmiar ziarna | um | 2 ~ 10 |
| Czystość chemiczna | % | 99,99995 |
| Pojemność cieplna | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacji | ℃ | 2700 |
| Siła Felexuralna | MPa (RT 4-punktowy) | 415 |
| Moduł Younga | Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃) | 430 |
| Rozszerzalność cieplna (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Przewodność cieplna | (W/mK) | 300 |
